Il carburo di silicio (SiC) presenta diverse sfide nonostante le sue proprietà vantaggiose, come l'elevata conducibilità termica, la bassa espansione termica e l'eccezionale durezza. Le sfide principali includono la difficoltà di fabbricazione, la sensibilità agli shock termici e la necessità di tecniche di lavorazione specializzate.
Difficoltà di fabbricazione:
Il carburo di silicio è estremamente duro, il che lo rende difficile da fabbricare in pezzi di precisione. I metodi di lavorazione tradizionali non sono efficaci a causa della durezza del materiale. Come già detto, la fabbricazione di pezzi di precisione in SiC CVD deve essere completata con tecnologie di rettifica al diamante. Questo processo non solo richiede tempo, ma è anche costoso a causa dell'elevato costo degli utensili diamantati e dell'energia necessaria per la rettifica. Inoltre, le proprietà elettriche del SiC, in particolare la sua bassa resistenza elettrica, richiedono l'uso di tecniche specializzate come la lavorazione a scarica elettrica (EDM) per la creazione di elementi fini. Ciò aumenta la complessità e il costo della produzione di componenti in SiC.Sensibilità agli shock termici:
Sebbene il SiC abbia un'elevata conducibilità termica (120-270 W/mK) e una bassa espansione termica (4,0x10-6/°C), che in genere contribuiscono alla sua resistenza agli shock termici, le rapide variazioni di temperatura possono comunque indurre sollecitazioni termiche che portano a microcricche. Questa sensibilità agli shock termici richiede un'attenta considerazione nelle applicazioni che prevedono un rapido riscaldamento o raffreddamento. Il rivestimento protettivo di ossido di silicio che si forma alle alte temperature può contribuire a mitigare questo problema, ma non è una soluzione completa. Gli ingegneri devono progettare componenti con transizioni graduali di temperatura per evitare danni, il che può limitare la flessibilità operativa dei componenti SiC.
Tecniche di lavorazione specializzate:
