Il gas di sputtering è tipicamente un gas inerte, come l'argon, utilizzato nel processo di sputtering. Lo sputtering è un metodo di deposizione di film sottili che utilizza un plasma gassoso per staccare gli atomi dalla superficie di un materiale solido di destinazione. In questo processo, gli ioni del gas inerte vengono accelerati nel materiale di destinazione, causando l'espulsione di atomi sotto forma di particelle neutre. Queste particelle neutre attraversano e si depositano sotto forma di film sottile sulla superficie di un substrato.
Il processo di sputtering prevede l'inserimento di un substrato e di un materiale target in una camera a vuoto riempita con un gas inerte. Quando viene applicata un'alta tensione elettrica, gli ioni con carica positiva del gas vengono attratti dal materiale target con carica negativa, provocando collisioni. Queste collisioni portano all'espulsione di atomi dal materiale bersaglio, che si depositano sul substrato, formando un film sottile.
Lo sputtering è condotto sotto vuoto per mantenere un ambiente sterile e privo di contaminazioni. È una forma versatile di deposizione fisica da vapore che può essere utilizzata per depositare rivestimenti di materiali conduttivi o isolanti. La tecnica di sputtering può essere ulteriormente classificata in sottotipi come corrente continua (DC), radiofrequenza (RF), media frequenza (MF), corrente continua pulsata e HiPIMS, ciascuno con le proprie applicazioni.
In generale, il gas di sputtering, come l'argon, svolge un ruolo cruciale nel processo di sputtering, facilitando il distacco degli atomi dal materiale target e la deposizione di un film sottile sul substrato.
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