RF PECVD è l'acronimo di radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition. È un metodo consolidato per depositare film sottili su substrati piatti utilizzati nella tecnologia standard dei circuiti integrati al silicio. Il metodo RF PECVD è economico e altamente efficiente. La crescita del film è dovuta all'attivazione di precursori in fase gassosa in un ambiente di plasma. Le reazioni chimiche attivate dal plasma avvengono sopra e sul substrato. La PECVD a radiofrequenza è in grado di depositare materiali come il carburo di silicio e può essere utilizzata per rivestire oggetti di forme diverse.
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Sistema RF PECVD Deposizione di vapore chimico potenziata da plasma a radiofrequenza
Numero articolo : KT-RFPE
Forno di grafitizzazione ad altissima temperatura
Numero articolo : GF-09
Numero articolo : cvdm-05
Macchina diamantata MPCVD a 915 MHz
Numero articolo : MP-CVD-101
Attrezzatura per il rivestimento di nano-diamante HFCVD con stampo di trafilatura
Numero articolo : MP-CVD-100
Forno tubolare CVD a camera split con macchina CVD a stazione sottovuoto
Numero articolo : KT-CTF12
Macchina diamantata MPCVD con risonatore a campana per il laboratorio e la crescita di diamanti
Numero articolo : KTMP315
Macchina diamantata MPCVD a risonatore cilindrico per la crescita del diamante in laboratorio
Numero articolo : KTWB315
Forno di sinterizzazione al plasma scintillante Forno SPS
Numero articolo : KTSP
Macchina di rivestimento PECVD con evaporazione potenziata da plasma
Numero articolo : KT-PED
Numero articolo : KT-PE16
Forno tubolare Slide PECVD con gassificatore liquido Macchina PECVD
Numero articolo : KT-PE12
Macchina CVD versatile con forno a tubo CVD, realizzata dal cliente
Numero articolo : KT-CTF16
Bersaglio/polvere/filo/blocco/granulo di sputtering di silicio (Si) di elevata purezza
Numero articolo : LM-SI
Bersaglio di sputtering in carburo di silicio (SiC) / polvere / filo / blocco / granulo
Numero articolo : LM-SiC
Crogiolo di evaporazione in grafite
Numero articolo : KME07
Crogiolo di grafite per evaporazione a fascio di elettroni
Numero articolo : KMS02
Rivestimento per evaporazione a fascio di elettroni Crogiolo di rame senza ossigeno
Numero articolo : KMS06
Carburo di silicio (SIC) Foglio ceramico resistente all'usura
Numero articolo : KM-DG02
Piastra ceramica in carburo di silicio (SIC)
Numero articolo : KM-DG03
Rack per la pulizia dei substrati di vetro conduttivo in PTFE
Numero articolo : PTFE-03
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Richiedi il tuo preventivo ora! Lasciate un messaggio Ottieni un preventivo rapido Via WhatsappAbbiamo le migliori soluzioni RF-PECVD per le vostre esigenze di laboratorio. Il nostro ampio portafoglio offre una serie di soluzioni standard adatte a diverse applicazioni. Per esigenze più particolari, il nostro servizio di progettazione su misura è in grado di realizzare una soluzione che soddisfi le vostre specifiche.
Applicazioni di RF PECVD
- Produzione di film con indice di rifrazione graduato
- Deposizione di stack di nano-film con proprietà diverse
- Rivestimento di forme complesse con film uniformi di carburo di silicio
- Preparazione di materiali verticali di grafene con microstrutture uniche
- Creazione di film policristallini su un substrato
- Produzione di film a basso costo
- Alta efficienza di deposizione
- Formazione di film sottili di alta qualità a basse temperature
- Preparazione di film sottili di silicio
- Deposizione di film sottili su substrati elevati nel reattore al plasma
Vantaggi della PECVD RF
- Breve tempo di preparazione
- Processo controllabile
- Basso costo
- Capacità di deposizione su larga scala
- Tecnologia rispettosa dell'ambiente
- Possibilità di regolare la fonte di carbonio e il gas di trasporto per ottenere le proprietà desiderate
- Può essere utilizzata per la deposizione su substrati con forme complesse e superfici elevate
- Possibilità di produrre film a basso costo
- Alta efficienza di deposizione
- I materiali possono essere depositati come film a indice di rifrazione graduato o come una pila di nano-film, ciascuno con proprietà diverse.
La nostra tecnologia RF PECVD è la soluzione perfetta per chi ha bisogno di un'attrezzatura da laboratorio efficiente, a basso costo e personalizzabile. Grazie ai tempi di preparazione ridotti e alle caratteristiche controllabili, la PECVD a radiofrequenza è la scelta preferita per chi ha bisogno di materiali di grafene verticale di alta qualità. La nostra vasta gamma di prodotti garantisce una soluzione standard adatta alle vostre esigenze, mentre il nostro servizio di progettazione personalizzata ci permette di soddisfare le vostre richieste specifiche.
FAQ
Che cos'è la PECVD RF?
RF PECVD è l'acronimo di radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition, una tecnica utilizzata per preparare film policristallini su un substrato utilizzando un plasma a scarica di bagliore per influenzare il processo durante la deposizione di vapore chimico a bassa pressione. Il metodo PECVD a radiofrequenza è ben consolidato per la tecnologia dei circuiti integrati al silicio standard, che prevede l'utilizzo di wafer piatti come substrati. Questo metodo è vantaggioso per la possibilità di fabbricare film a basso costo e per l'elevata efficienza di deposizione. I materiali possono essere depositati anche come film a indice di rifrazione graduato o come una pila di nano-film, ciascuno con proprietà diverse.
Come funziona la PECVD a radiofrequenza?
La PECVD RF funziona creando un plasma in una camera a vuoto. Il gas precursore viene introdotto nella camera e la potenza della radiofrequenza viene applicata per creare un campo elettrico. Questo campo elettrico provoca la ionizzazione del gas precursore, formando un plasma. Il plasma contiene specie reattive che possono reagire chimicamente con la superficie del substrato, portando alla deposizione di un film sottile. La potenza della radiofrequenza aiuta anche a controllare l'energia del plasma, consentendo un migliore controllo delle proprietà del film, come la composizione, l'uniformità e l'adesione. I parametri del processo, come la portata del gas, la pressione e la potenza RF, possono essere regolati per ottimizzare il processo di deposizione del film.
Quali sono i vantaggi della PECVD a radiofrequenza?
La PECVD a radiofrequenza offre diversi vantaggi per la deposizione di film sottili. In primo luogo, consente la deposizione di film di alta qualità con un eccellente controllo delle proprietà del film, quali spessore, composizione e uniformità. L'uso di un plasma aumenta la reattività del processo, consentendo la deposizione di film a temperature più basse rispetto ai metodi CVD termici tradizionali. La PECVD a radiofrequenza offre anche una migliore copertura del gradino, consentendo la deposizione di film in strutture ad alto rapporto d'aspetto. Un altro vantaggio è la capacità di depositare un'ampia gamma di materiali, tra cui nitruro di silicio, biossido di silicio, silicio amorfo e vari altri materiali a film sottile. Il processo è altamente scalabile e può essere facilmente integrato nei processi produttivi esistenti. Inoltre, la PECVD RF è un metodo relativamente economico rispetto ad altre tecniche di deposizione di film sottili.
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